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用于深紫外LED外延片量产的MOCVD装备
适用于高温氮化铝和深紫外 LED生长的要害装备
优异匀称性和高效能相团结
适合高晶体质量和高AIN生长速率的新颖腔体设计
立异的实时监控系统
工艺温度最高可达1400度，，，，，，，具有优异的温场匀称性和控制稳固性
具有高稳固性、自动化的真空传送系统，，，，，，，抑制颗粒的爆发
界面友好、全自动化的操作系统
优异的工艺重复性，，，，，，，简化工艺调解需求，，，，，，，提高产品良率
单炉可生长18片2英寸外延晶片，，，，，，，具有较低的生产本钱
集成顶盖升降机构，，，，，，，简化装备维护，，，，，，，提高装备使用率
业界领先的UVC LED产能及维护周期
